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射频口浪涌防护方案设计思路分析
发布者:深圳市踏歌科技有限公司  发布时间:2016-12-16
  射频口浪涌防护方案设计思路分析

  一、应用背景
  1.全球气候变暖,雷雨天气增多
  2.射频很多置在室外,易受雷击
  3.传输速率高达1Gbps,结电容要求高
  4.高浪涌防护的安防设备成为趋势

  二、防护方案与踏歌电子器件
陶瓷气体放电管(GDT)
  陶瓷气体放电管(GDT)
  GDT【UN3E5-90LM】直流标称电压:90±20%V,衝击电流(8/20μS):5kA,电容值<1.5pF,电阻值>1GΩ;
  GDT【UN3E5-90MM】直流标称电压:90±20%V,衝击电流(8/20μS):10kA,电容值<1.5pF,电阻值>1GΩ;
  瞬态抑製二极管(TVS)
  TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V;Vb:4.0V;防静电能力(接触/空气):8KV/15KV;结电容(f=1MHz):1.2pF;封装为SOT-323

  三、方案应用
  1.医疗器械
  2.视频监控
  3.光发射机
  4.其他射频设备

  四、方案说明与注意事项
  1.本方案前端采用一颗GDT,并联与信号线与地线之间,泄放大电流;
  2.后端的TVS管结电容为1. 2pF,不影响数据传输;
  3.封装为SOD- 323,体积小,节约成本;残压低,有效保护射频芯片;
  4.本方案满足I EC61000- 4- 5、GBT17626. 5等浪涌标准。
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