100兆,1000兆以太网ESD保护方案_深圳踏歌电子-专业生产优质TVS管,自恢复保险丝,贴片保险丝厂家
在线客服
热线电话

微信公众账号
您好!欢迎来到深圳市踏歌科技有限公司
全国服务热线
客户案例
产品搜索
最新应用
联系方式
 
公司名称:深圳市踏歌科技有限公司
电话:86-755-88365418,88365225,88363209
传真:86-755-88361758  假日服务电话:18128869501  邮箱:evan@tergy.com
地址:深圳市宝安区民治街道创业花园淘景商务大厦

客户案例

您现在位置是:网站首页 >> 客户案例
100兆,1000兆以太网ESD保护
发布者:深圳市踏歌科技有限公司  发布时间:2016-12-07
  随着以太网速率的不断提高,各种寄生参数特性对电气性能存在不容忽视的影响,因此,以太网的电磁兼容(EMC)和防护设计成为设备功能能否实现的关键。EMC和防护设计介入产品设计的时间越早,成本也就越低。废话不多,小编最喜欢做的事情就是将踏歌电子FAE工程师们的经验都分享给大家,本篇以太网口雷击浪涌防护方案分享是难得一见的实用干货,值得收藏。

  以太网口雷击浪涌防护方案的设计思路:
  以太网防护方案的设计需要考虑到雷击浪涌以及陶瓷放电管一级防护之后的残压,因此一般会采用GDT在变压器前端做共模 (八线)浪涌防护;并选择结电容低、反应时间快,兼顾防护静电功能的TVS管吸收差模能量。

  百兆以太网防护方案(一)
  防护电路图:
百兆以太网防护方案一防护电路图
  使用踏歌电子器件:
  陶瓷气体放电管
  GDT【UN1206-200ASMD】 直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。
  GDT【UN1812-90CSMD】 直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

  瞬态抑制二极管TVS管:
  TVS【SLUV2.8-4】 Vrwm:2.8V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):2.0pF,封装:SO-08。

  百兆以太网防护方案(二)
  防护电路图:
百兆以太网防护方案二防护电路图
  使用踏歌电子器件:
  陶瓷气体放电管:
  GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。
  GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

  瞬态抑制二极管TVS管:
  TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323。

  千兆以太网防护方案(一)
  防护电路图:
千兆以太网防护方案一防护电路图
  使用踏歌电子器件:
  陶瓷气体放电管:
  GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ
  GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

  瞬态抑制二极管:
  TVS【SLUV2.5-8】Vrwm:2.V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):30KV/30KV,结电容(f=1MHz):3.0pF,封装:SOP-08,超低漏电流

  千兆以太网防护方案(二)
  防护电路图:
千兆以太网防护方案二防护电路图
  使用踏歌踏歌电子器件:
  陶瓷气体放电管:
  GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ
  GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

  瞬态抑制二极管:
  TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323。
上一篇:音频耳机端口电路保护  2016/12/19
下一篇:键盘按钮静电保护方案  2016/12/07
推荐产品